Mater.Phys.Mech.(MPM)
No 1, Vol. 22, 2015, pages 53-58

THICK GaN LAYERS ON SILICON SUBSTRATE

Sh.Sh. Sharofidinov, А.А. Golovatenko, I.P. Nikitina, N.V. Seredova, M.G. Mynbaeva,
V.E. Bougrov, M.A. Оdnobludov, S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev

Abstract

In the article we report on results of epitaxial growth of GaN on Si substrate in the new HVPE reactor. The reactor was designed for growth of GaN on substrates with diameter up to 76 mm. Thin layer of AlN were deposited in MOCVD reactor in order to prevent reaction between Ga and Si. 10-micron-thickness flat GaN layers were fabricated on MOCVD AlN/Si by HVPE. The GaN layers were characterized by PL, XRD, SEM and mercury probe. The FWHM of XRD rocking curves for GaN peak (0002) was about 500 arcsec, that is similar for the best samples MOCVD GaN/Si.

Keywords: thick GaN layers; silicon substrate

full paper (pdf, 1520 Kb)

ТОЛСТЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова,
М.Г. Мынбаева, В.Е. Бугров, М.А. Одноблюдов, С.И. Степанов, В.И. Николаев

Аннотация

я. В работе исследовалась возможность роста качественных толстых слоев GaN на кремниевой подложке в реакторе хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ), разработанном для подложек диаметром до 76 мм. Для предотвращения реакции GaN и кремния осаждался слой AlN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Проведена характеризация выращенных слоев методами фотолюминесценции, рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии (РЭМ) и методом измерения вольт-фарадных характеристик с использованием ртутного зонда. Продемонстрирована возможность получения гладких слоев до 10 мкм, большие фрагменты которых не имеют трещин. Установлено, что для лучших образцов полуширина кривой качания составила ~ 500 arcsec.

Ключевые слова: толстые эпитаксиальные слои GaN; кремниевая подложка

full paper (pdf, 1520 Kb)